IXFH26N100X是由IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。這款MOSFET專為高壓應用設計，具有1000V的漏源電壓（VDSS）和26A的連續(xù)漏極電流（ID）。其低導通電阻（RDS(on)）特性有助于減少功耗并提高系統(tǒng)效率。該器件適用于多種高電壓、大電流的應用場景，如開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及工業(yè)逆變器等。由于其快速開關性能和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，特別適合用于需要高效能量轉換和管理的場合。在實際應用中，為了確保最佳性能，建議使用適當?shù)纳岽胧⒆裱圃焐烫峁┑碾姎鈪?shù)限制。在電路設計時，注意柵極驅動電路的設計以實現(xiàn)快速且可靠的開關操作。此外，在布局PCB時應盡量減小寄生電感，以避免不必要的振蕩和噪聲干擾。

IXFH26N100X 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
209現(xiàn)貨
系列
HiPerFET?, Ultra X
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
1000 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
26A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
320 毫歐 @ 13A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
6V @ 4mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
113 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3290 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
860W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247
封裝/外殼
TO-247-3

芯知識

2.1萬

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