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IXFH16N60P3

更新時間:2025-06-02 04:53:45

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IXFH16N60P3 概述

IXFH16N60P3是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用了先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用場合。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達16A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定的性能。此款MOSFET廣泛應用于電源管理、電機驅動、逆變器和不間斷電源系統等領域。在實際應用中，建議使用適當的散熱措施以確保器件長期穩(wěn)定運行。設計電路時應注意柵極驅動電壓的選擇，推薦使用+15V/-9V的驅動電壓范圍來保證最佳的開關性能并降低功耗。同時，需關注PCB布局，盡量減小寄生電感對開關過程的影響。

IXFH16N60P3 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
HiPerFET?, Polar3?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
16A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
470 毫歐 @ 500mA，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1830 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
347W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247（IXTH）
封裝/外殼
TO-247-3

芯知識

2.1萬

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廣東微爾科技有限公司

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