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IXFC36N50P

更新時間:2025-06-12 18:18:01

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IXFC36N50P

IXYS FET - 單

MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS220

封裝:ISOPLUS220?

IXFC36N50P 概述

IXFC36N50P是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。這款器件采用先進的溝槽技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓（Vds）為500V，連續(xù)漏極電流（Id）在25°C時為36A。該MOSFET特別適合用于不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、電機驅動器等需要高效能量轉換的場合。在實際應用中，建議將柵極電阻設置合理值以優(yōu)化開關速度并減少電磁干擾(EMI)。此外，在布局PCB時應盡量縮短源極引線長度以降低寄生電感的影響。對于高壓側驅動應用，需確保有足夠的柵極驅動電壓（至少10V），以保證最佳性能。此器件配合合適的控制IC使用可以構建出高效穩(wěn)定的電力電子系統(tǒng)。

IXFC36N50P 規(guī)格參數

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
PolarHV™ HiPerFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
19A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 18A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 4mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
93nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5500pF @ 25V
功率 - 最大
156W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
ISOPLUS220?
供應商設備封裝
ISOPLUS220?
包裝
管件

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