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IXFA20N50P3

更新時間:2025-05-16 08:39:22

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廠商
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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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IXFA20N50P3 概述

IXFA20N50P3是IXYS公司生產的一款高壓功率MOSFET。該器件采用先進的Trench技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為500V，連續(xù)漏極電流可達20A，適用于高效率的電源轉換應用。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）以及電機驅動等需要高壓大電流處理能力的場合。在電路設計中，需注意適當?shù)纳嵩O計以確保器件工作在安全溫度范圍內，并合理選擇柵極電阻來優(yōu)化開關速度與EMI性能。對于高頻應用，建議仔細評估電路布局以減少寄生電感影響。

IXFA20N50P3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
HiPerFET?, Polar3?
包裝
管件
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
500 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
300 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 1.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
380W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-263AA（IXFA）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

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IXFA110N15T2
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IRFR024N

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