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IXEN60N120D1

更新時間:2025-05-19 22:27:03

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IXEN60N120D1外觀圖

IXEN60N120D1

IXYS IGBT

IGBT NPT3 1200V 100A SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXEN60N120D1 概述

IXEN60N120D1是IXYS公司生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的半導體工藝制造，具備低導通電阻和高開關速度的特點。其最大漏源電壓（Vds）為1200V，適用于高壓應用環(huán)境。典型應用場景包括工業(yè)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅動及高頻開關電源等。在實際應用中，由于其高耐壓特性，特別適合需要可靠性和高效能的電力電子設備。設計電路時需注意柵極驅動電壓的選擇，通常推薦使用+15V/-9V或+10V的標準驅動電平以確保MOSFET完全開啟與關閉。此外，在布局PCB時應盡量減小柵極回路電感，以減少開關損耗并提高效率。對于散熱管理也需給予足夠重視，建議根據具體工況合理選用散熱器或冷卻方案。

IXEN60N120D1 規(guī)格參數

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
IGBT
系列
-
IGBT 類型
NPT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.7V @ 15V，60A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100A
電流 - 集電極截止（最大）
800µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
3.8nF @ 25V
功率 - 最大
445W
輸入
標準型
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

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