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IXDN55N120D1

更新時間:2025-05-19 17:57:30

供應商
產品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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IXDN55N120D1外觀圖

IXDN55N120D1

IXYS IGBT

IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B

封裝:SOT-227-4，miniBLOC

IXDN55N120D1 概述

IXDN55N120D1是IXYS公司生產的一款高性能高壓MOSFET驅動器。該器件專門設計用于驅動高側和低側MOSFET，適用于開關電源、逆變器、電機驅動等多種電力電子應用場合。其內部集成有獨立的輸入邏輯控制信號接口，可實現(xiàn)對兩個功率MOSFET的高效同步驅動。該驅動器的最大工作電壓可達120V，能夠滿足大多數工業(yè)級應用需求。它具備快速的開關速度和較低的導通電阻，有助于減少開關損耗并提高系統(tǒng)整體效率。在實際應用中，建議將IXDN55N120D1與合適的柵極電阻配合使用以優(yōu)化開關性能，并注意合理布局PCB走線以降低噪聲干擾。對于需要隔離的應用場景，可以考慮在外圍電路添加適當的隔離措施，如采用光耦或磁耦器件來確保信號傳輸的可靠性。

IXDN55N120D1 規(guī)格參數

標準包裝
10
類別
半導體模塊
家庭
IGBT
系列
-
IGBT 類型
NPT
配置
單一
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
1200V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.8V @ 15V，55A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
100A
電流 - 集電極截止（最大）
3.8mA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
3.3nF @ 25V
功率 - 最大
450W
輸入
標準型
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

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IR2111

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