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ISL9N306AD3ST

更新時間:2025-05-16 02:15:45

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ISL9N306AD3ST 概述

ISL9N306AD3ST是由Renesas公司生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用表面貼裝封裝，具有低導通電阻特性，在開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用中表現(xiàn)出色。在開關(guān)電源應用中，其快速開關(guān)速度有助于提高效率并減少能量損耗。對于直流-直流轉(zhuǎn)換器，能夠有效處理高電流負載。當用于電機驅(qū)動時，可以提供精確的控制能力。使用時需注意柵極驅(qū)動電壓要足夠以確保完全開啟，同時布局布線應盡量減小寄生電感影響以防止振蕩。電路設(shè)計時可參考相關(guān)應用筆記進行外圍電路搭建，例如添加適當?shù)臇艠O電阻來優(yōu)化開關(guān)特性。

ISL9N306AD3ST 規(guī)格參數(shù)

制造商
Fairchild Semiconductor
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
30 V
閘/源擊穿電壓
+/- 20 V
漏極連續(xù)電流
50 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.0095 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 175 C
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
TO-252AA
封裝
Reel
下降時間
30 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
125 W
上升時間
70 ns
工廠包裝數(shù)量
2500
典型關(guān)閉延遲時間
34 ns

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