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IRLU014N

更新時間:2025-05-17 09:07:15

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IRLU014N外觀圖

IRLU014N

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 55V 10A I-PAK

封裝:TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB

IRLU014N 概述

IRLU014N是一款由英飛凌科技公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。它采用TO-252封裝，具有低導通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高頻開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等應用場合。在電路設計中，該MOSFET常用于需要快速切換和高效能的場景。其最大漏極電流可達30A，在柵極電壓為10V時，導通電阻僅為0.017歐姆。由于其出色的熱性能，可以減少在高功率密度設計中的散熱需求。使用時應注意正確選擇柵極驅(qū)動電阻以避免過沖或振蕩現(xiàn)象的發(fā)生，并確保柵極電壓穩(wěn)定可靠，防止誤導通導致器件損壞。此外，在布局PCB時應盡量減小源極和柵極引線長度，降低寄生電感對開關(guān)性能的影響。

IRLU014N 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
7.9nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
265pF @ 25V
功率 - 最大
28W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-251-3 長引線，IPak，TO-251AB
供應商設備封裝
I-Pak
包裝
管件
其它名稱
*IRLU014N

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IRLU024N
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IRLU024ZPBF
IRFP150N

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