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IRLR3714TRPBF

更新時間:2025-05-15 21:44:00

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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官網(wǎng)可查icscjh.com

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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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深圳市英特瑞斯電子有限公司
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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原包裝進口正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道

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DPAK/2025+
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IRLR3714TRPBF外觀圖

IRLR3714TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR3714TRPBF 概述

IRLR3714TRPBF是一款由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌科技的一部分）生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流承載能力的特點。其最大漏極-源極電壓為40V，適用于需要高效功率轉換的應用場景。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電池管理電路、負載開關以及電動工具等便攜式設備中的電源管理系統(tǒng)。由于其較低的RDS(on)值，在這些應用中可以有效減少功率損耗并提高整體系統(tǒng)效率。在實際使用時，建議確保柵極驅動電壓足夠以充分開啟MOSFET，并注意散熱設計以維持長期穩(wěn)定工作。對于負載開關應用，需關注輸入電壓范圍與瞬態(tài)響應要求，合理選擇外圍元件參數(shù)。

IRLR3714TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
36A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫歐 @ 18A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
670pF @ 10V
功率 - 最大
47W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRLR3714PBFTRIRLR3714TRPBF-NDIRLR3714TRPBFTR-ND

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IRLR3714TRPBF
IRLR010NTRR
IRLR014
IRLR014A
IRLR014ATF
IRLR014N
IRLR014NPBF
IRF9540N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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