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IRLR3714

更新時間:2025-05-17 20:40:32

供應商
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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IRLR3714外觀圖

IRLR3714

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 20V 36A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR3714 概述

IRLR3714是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用堅固耐用的封裝設計，具備低導通電阻特性，典型值為6.8mΩ（在Vgs=10V時），這有助于減少功耗并提升效率。其最大漏極-源極電壓（VDSS）為40V，連續(xù)漏極電流（ID）可達100A，適用于高功率密度應用。此款MOSFET廣泛應用于電機驅(qū)動、電源轉(zhuǎn)換器、電池管理系統(tǒng)以及不間斷電源等領域。例如，在直流無刷電機驅(qū)動電路中，可以利用其快速開關速度和低導通損耗實現(xiàn)高效能控制；在同步整流降壓變換器中，能夠有效提高系統(tǒng)效率并減小散熱需求。使用時需注意保證柵極驅(qū)動電壓足夠以充分開啟MOSFET，并且要考慮適當?shù)纳岽胧┍苊膺^熱損壞。

IRLR3714 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
36A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
20 毫歐 @ 18A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
9.7nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
670pF @ 10V
功率 - 最大
47W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
管件
其它名稱
*IRLR3714

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IRLR3714
IRLR3714PBF
IRLR3714TRL
IRLR3714TRPBF
IRLR3714ZPBF
IRLR010NTRR
IRLR014
IRFZ24N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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