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IRLR3410PBF

更新時間:2025-06-21 00:45:16

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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Infineon(英飛凌)
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深圳市億泰科技有限公司
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只做原裝正品，假一罰十，大量現(xiàn)貨，特價銷售

深圳市科鑫美電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

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公司原裝現(xiàn)貨庫存，支持實單

深圳市華美銳電子有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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原廠代理終端免費提供樣品

深圳市華斯頓科技有限公司
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TO252/25+23+
原裝/支持實單/原盒原標原盤/原管

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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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TO2523 DPak (2 Leads + Tab) SC63/2024+
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深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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現(xiàn)貨如非原裝假一罰十

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深圳市澤芯微科技有限公司
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華軒陽
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澤芯微售出每顆芯片只能是原裝83227865

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IRLR3410PBF外觀圖

IRLR3410PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR3410PBF 概述

IRLR3410PBF是國際整流器公司（現(xiàn)屬英飛凌）生產(chǎn)的一款N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源、直流-直流轉換器等高效功率轉換應用。其最大漏極電流可達55A，耐壓值為100V，非常適合用于電機驅動、逆變器以及各種需要大電流和高效率的場合。在實際應用中，需注意柵極驅動電壓應保持在規(guī)定范圍內以確?？煽块_啟和關閉MOSFET，同時要考慮散熱設計以維持器件正常工作溫度。電路設計時，建議搭配適當?shù)臇艠O電阻來優(yōu)化開關特性，并使用足夠的散熱片以提高熱穩(wěn)定性。

IRLR3410PBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
17A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
105 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
800pF @ 25V
功率 - 最大
79W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
管件

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IRLR3410PBF
IRLR010NTRR
IRLR014
IRLR014A
IRLR014ATF
IRLR014N
IRLR014NPBF
IRF9630

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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