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IRLR3110ZPBF

更新時間:2025-05-20 22:49:38

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務

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IRLR3110ZPBF外觀圖

IRLR3110ZPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR3110ZPBF 概述

IRLR3110ZPBF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種功率管理應用。其最大漏極電流可達100A，耐壓值為55V，適用于中低壓應用場景。典型應用包括電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負載開關等。在直流-直流轉(zhuǎn)換器中，它能夠高效地進行能量傳輸，減少功耗。由于其優(yōu)異的熱性能和電氣特性，在工業(yè)控制和消費電子設備中也被廣泛使用。設計時應注意合理布局PCB以優(yōu)化散熱效果，并確保柵極驅(qū)動電壓滿足開啟要求，防止誤操作或損壞。

IRLR3110ZPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
75
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
42A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
14 毫歐 @ 38A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
48nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3980pF @ 25V
功率 - 最大
140W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
管件

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IRLR3110ZPBF
IRLR010NTRR
IRLR014
IRLR014A
IRLR014ATF
IRLR014N
IRLR014NPBF
IP4220CZ6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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