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IRLR3103TRPBF

更新時間:2025-07-03 19:39:38

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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原裝現(xiàn)貨只做原廠原裝優(yōu)勢庫存自家?guī)齑?/p>

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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深圳市弘芯創(chuàng)科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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北京京北通宇電子元件有限公司
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NEXPERIA/安世
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假一罰十，原裝進口現(xiàn)貨供應，只做原裝

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IRLR3103TRPBF外觀圖

IRLR3103TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR3103TRPBF 概述

IRLR3103TRPBF是一款由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET，采用DPAK封裝。該器件專為高效能應用設計，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高頻開關電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等場合。其最大漏源電壓Vds可達30V，連續(xù)漏極電流Id在25°C時為44A。由于其出色的熱穩(wěn)定性和電氣性能，在消費電子、工業(yè)控制及汽車電子領域得到廣泛應用。使用時應注意散熱設計以確保長期穩(wěn)定工作，并根據(jù)具體電路需求選擇合適的柵極驅(qū)動電阻值來優(yōu)化開關性能。

IRLR3103TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
55A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
19 毫歐 @ 33A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1600pF @ 25V
功率 - 最大
107W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRLR3103PBFTR

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IRLR014N
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IP4220CZ6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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