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IRLR3103PBF

更新時間:2025-05-22 06:33:27

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IRLR3103PBF外觀圖

IRLR3103PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 55A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR3103PBF 概述

IRLR3103PBF是英飛凌科技公司生產的一款N溝道增強型MOSFET。它采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特性，適用于多種功率管理應用。該MOSFET的最大漏源電壓為30V，最大連續(xù)漏極電流可達65A，非常適合用于DC-DC轉換器、電機驅動電路以及電源管理系統(tǒng)中。其柵極電荷較低，有助于提高開關效率并減少功耗。在實際應用中，IRLR3103PBF常用于筆記本電腦、平板電視和其他消費類電子產品中的電源管理電路。為了確保最佳性能，在使用時應注意PCB布局以優(yōu)化散熱效果，并遵循推薦的柵極驅動電路設計。例如，在柵極串聯(lián)一個適當的電阻可以有效抑制振蕩并改善EMI性能。同時，要確保驅動電壓足夠高以便充分開啟MOSFET，減少導通損耗。

IRLR3103PBF 規(guī)格參數

標準包裝
75
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
55A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
19 毫歐 @ 33A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
50nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1600pF @ 25V
功率 - 最大
107W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
管件

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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