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IRLR110ATF

更新時間:2025-05-18 12:49:37

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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TO252/25+23+
原裝全新現(xiàn)貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒

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深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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原裝特價提供樣品

深圳市晶美隆科技有限公司
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深圳市科鑫美電子有限公司
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9000
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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186947
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深圳市英德州科技有限公司
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IRLR110ATF外觀圖

IRLR110ATF

Fairchild Semiconductor FET - 單

MOSFET N-CH 100V 4.7A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRLR110ATF 概述

IRLR110ATF是國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌旗下品牌）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于多種電源管理應用。其最大漏極電流可達30A，柵極驅動電壓范圍寬泛，典型值為4.5V至10V。此款MOSFET常用于直流-直流轉換器、電機驅動以及電池管理系統(tǒng)中，特別是在需要高效能與緊湊設計的場合表現(xiàn)出色。在實際應用中，建議根據(jù)具體電路需求選擇合適的柵極電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計充分，避免因過熱導致性能下降或損壞。在高頻率應用場景下，需注意減少寄生電感對電路的影響，可通過縮短引線長度和優(yōu)化PCB布局來實現(xiàn)最佳性能。

IRLR110ATF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
2,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
440 毫歐 @ 2.35A，5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
235pF @ 25V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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