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IRLML6401GTRPBF

更新時間:2025-05-16 15:21:16

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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云漢時代半導體(深圳）有限公
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深圳市華普冠科電子科技有限公
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IRLML6401GTRPBF外觀圖

IRLML6401GTRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT-23-3

封裝:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

IRLML6401GTRPBF 概述

IRLML6401GTRPBF是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用SOT-23封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于電池供電設(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品中電源管理應(yīng)用。其最大漏源電壓為20V，連續(xù)漏極電流可達3.8A，柵極閾值電壓范圍為1V至2.5V，適合低壓電路設(shè)計。典型應(yīng)用場景包括負載開關(guān)、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動控制等。在實際應(yīng)用中，建議注意布線以減少寄生電感，并確保柵極驅(qū)動信號質(zhì)量，避免因振鈴導致誤觸發(fā)。對于高速開關(guān)應(yīng)用，需仔細選擇柵極電阻值，優(yōu)化開關(guān)性能并降低EMI干擾。

IRLML6401GTRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
12V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
50 毫歐 @ 4.3A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
15nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
830pF @ 10V
功率 - 最大
1.3W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商設(shè)備封裝
Micro3?/SOT-23
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRLML6401GTRPBF-NDIRLML6401GTRPBFTR

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IRLML6401GTRPBF
IRLM014A
IRLM110A
IRLM110ATF
IRLM120A
IRLM120ATF
IRLM210A
IRFP450

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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