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IRLHS6242TR2PBF

更新時間:2025-05-26 00:23:31

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IRLHS6242TR2PBF外觀圖

IRLHS6242TR2PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 20V 10A PQFN

封裝:6-PowerVDFN

IRLHS6242TR2PBF 概述

IRLHS6242TR2PBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的工藝技術制造，具有低導通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為1.7mΩ，這有助于降低功率損耗并提高效率。其最大漏極電流可達28A，適用于高頻開關應用。此MOSFET廣泛應用于電源管理電路如DC - DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動控制以及電池管理系統(tǒng)中。在這些場景下，它能夠有效提升系統(tǒng)的整體性能。使用時應注意避免超出其最大額定值，并確保適當?shù)纳岽胧┮跃S持穩(wěn)定工作溫度。例如，在設計電機驅(qū)動電路時，可將其作為功率開關元件連接在H橋電路中，實現(xiàn)對電機的正反轉(zhuǎn)控制。

IRLHS6242TR2PBF 規(guī)格參數(shù)

特色產(chǎn)品
PQFN 2x2
標準包裝
400
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11.7 毫歐 @ 8.5A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.1V @ 10µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1110pF @ 10V
功率 - 最大
1.98W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-PowerVDFN
供應商設備封裝
6-PQFN（2x2）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRLHS6242TR2PBF-NDIRLHS6242TR2PBFTR

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