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IRLB3036PBF

更新時間:2025-08-03 04:17:04

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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市宇集芯電子有限公司
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IRLB3036PBF外觀圖

IRLB3036PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 60V 195A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRLB3036PBF 概述

IRLB3036PBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。它采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流能力，典型導通電阻僅為5.3毫歐姆（在10V柵極電壓下），最大漏極電流可達82A。該器件設計用于高效電力電子應用中，如直流電機驅動、電源管理和電池充電電路等。其低導通損耗特性使其非常適合于需要高效率和緊湊設計的場合。在實際應用中，確保柵極驅動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，并注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。推薦使用適當?shù)纳崞骱土己玫腜CB布局來優(yōu)化熱管理。

IRLB3036PBF 規(guī)格參數(shù)

特色產(chǎn)品
HEXFET? Power MOSFETs
標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
195A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.4 毫歐 @ 165A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
140nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
11210pF @ 50V
功率 - 最大
380W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件

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IRLB3813PBF
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