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IRL8113

更新時間:2025-05-15 20:40:00

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IRL8113外觀圖

IRL8113

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 105A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRL8113 概述

IRL8113是由International Rectifier公司（現(xiàn)已被Infineon Technologies收購）生產的MOSFET器件。該款N溝道功率MOSFET專為高效能應用設計，具有低導通電阻特性，有助于降低功耗并提升系統(tǒng)效率。其工作電壓范圍適中，適用于多種直流 - 直流轉換器、電機驅動以及電源管理電路中。在實際應用場景下，IRL8113常被用于同步整流電路，能夠有效提高轉換效率。當應用于H橋或半H橋逆變器時，可實現(xiàn)對電機的精準控制。使用時需注意散熱設計，以確保器件在高負載條件下穩(wěn)定運行。根據(jù)具體電路需求合理選擇柵極驅動電阻，防止因開關速度過快導致的振蕩現(xiàn)象。同時，在進行PCB布局時應盡量減小源極和漏極間的走線電感，減少EMI干擾。

IRL8113 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
105A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6 毫歐 @ 21A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.25V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2840pF @ 15V
功率 - 最大
110W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRL8113

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IRL8113PBF
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