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IRL3303STRR

更新時間:2025-05-29 03:18:53

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IRL3303STRR外觀圖

IRL3303STRR

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRL3303STRR 概述

IRL3303STRR是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。它采用SOT-223封裝，具有低導通電阻特性，適合高效功率管理應用。該器件的最大漏源電壓為30V，在10V柵極驅(qū)動下的導通電阻典型值為20mΩ，能承受高達4.5A的連續(xù)漏極電流。此MOSFET廣泛應用于負載開關(guān)、電源管理以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等場景。在便攜式設(shè)備和消費類電子產(chǎn)品中，可用于控制電源通斷，提高系統(tǒng)效率。使用時應注意柵極驅(qū)動電壓要滿足要求以確保完全開啟，同時注意散熱設(shè)計避免過熱。例如在低壓差穩(wěn)壓器電路中，可以與輸入電容、輸出電容配合使用，實現(xiàn)穩(wěn)定高效的電壓調(diào)節(jié)功能。

IRL3303STRR 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
38A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
26 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
870pF @ 25V
功率 - 最大
3.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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