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IRG4BC30K-S

更新時間:2025-05-17 04:00:08

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D2PAK/2026+
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深圳市華斯頓科技有限公司
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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IRG4BC30K-S外觀圖

IRG4BC30K-S

International Rectifier IGBT - 單路

IGBT UFAST 600V 28A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRG4BC30K-S 概述

IRG4BC30K-S是英飛凌科技公司生產的一款高性能溝槽柵極N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-247封裝，適用于高功率開關應用?；A描述方面，它具有低導通電阻和快速開關特性，能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)效率。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）以及電機驅動等需要高效功率轉換的場合。在實際應用中，使用時需注意其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流能力應根據(jù)具體散熱條件確定。設計電路時，建議選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保柵極電壓在安全范圍內，防止過壓損壞柵極氧化層。對于高頻應用，還需考慮PCB布局對寄生電感的影響，盡量縮短功率回路走線以減少電磁干擾。

IRG4BC30K-S 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
-
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.7V @ 15V，16A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
28A
功率 - 最大
100W
輸入類型
標準型
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRG4BC30K-S

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IRG4BC30K-S
IRG40C30UD
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IRG4B30KD
IRFP150N

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