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IRFSL3306PBF

更新時(shí)間:2025-05-16 02:13:44

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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上海原裝現(xiàn)貨庫存，歡迎查詢

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深圳市芯齊壹科技有限公司
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深圳市偉科芯電子科技有限公司
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IRFSL3306PBF外觀圖

IRFSL3306PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 60V 120A TO-262

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

IRFSL3306PBF 概述

IRFSL3306PBF是一款由國際整流器公司（現(xiàn)屬英飛凌）生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn)。其柵極電荷較低，有助于減少開關(guān)損耗，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器以及需要高效功率管理的便攜式設(shè)備中。由于其小巧的封裝尺寸和優(yōu)秀的熱性能，在空間受限的設(shè)計(jì)中尤為適用。使用時(shí)需注意驅(qū)動(dòng)電壓的選擇，以確保MOSFET能夠充分開啟。在PCB布局方面，應(yīng)盡量減小源極引腳的走線長度，降低寄生電感影響。對(duì)于高速開關(guān)電路，推薦使用低電感的封裝形式，并合理設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路，避免振蕩現(xiàn)象的發(fā)生。

IRFSL3306PBF 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
50
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
120A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.2 毫歐 @ 75A，10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）
4V @ 150µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
120nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4520pF @ 50V
功率 - 最大
230W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-262
包裝
管件

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IRF9530

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