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IRFS4127TRLPBF

更新時間:2025-05-16 23:24:10

供應商
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廠商
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說明
詢價

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原裝有現(xiàn)貨 QQ420045561 VX

惠州市利灣智能科技有限責任公
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TO263/23+
原裝現(xiàn)貨

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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優(yōu)勢產(chǎn)品大量庫存原裝現(xiàn)貨

北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司
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Infineon(英飛凌)
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IRFS4127TRLPBF外觀圖

IRFS4127TRLPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 200V 72A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

IRFS4127TRLPBF 概述

IRFS4127TRLPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，適用于高功率密度應用。其設計主要用于高效電源管理，如直流-直流轉換器、不間斷電源系統(tǒng)和電機驅動控制等場景。在直流-直流轉換器中，IRFS4127TRLPBF能夠提供低導通電阻，減少功率損耗，提高整體轉換效率。對于電機驅動控制，這款MOSFET可以承受較高的電流和電壓應力，確保穩(wěn)定運行。使用時需注意散熱設計，以避免因過熱導致的性能下降或損壞。推薦在PCB布局時增加足夠的銅箔面積來幫助散熱，并且要保證柵極驅動電路的穩(wěn)定性，防止誤觸發(fā)。此外，在高頻率開關應用中，還需關注柵極電阻的選擇，以優(yōu)化開關速度和EMI性能。

IRFS4127TRLPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
800
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
72A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
22 毫歐 @ 44A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
150nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5380pF @ 50V
功率 - 最大
375W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRFS4127TRLPBFTR

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IRFS17N20DTRR
IR2103

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