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IRFR48ZTRPBF

更新時間:2025-06-17 04:15:39

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
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詢價

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Infineon(英飛凌)
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只做原廠原裝假一罰十

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3000
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DPak/20+
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深圳市鵬翔新科技有限公司
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INFINEON/英飛凌
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IRFR48ZTRPBF外觀圖

IRFR48ZTRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

IRFR48ZTRPBF 概述

IR8ZTRPBF是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道增強(qiáng)型MOSFET。該器件采用表面貼裝的D-PAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵極電壓為10V時典型值僅為0.032歐姆。其最大漏源電壓（VDS）為55V，連續(xù)漏極電流（ID）在25℃下高達(dá)67A。該MOSFET適用于多種應(yīng)用場景，如直流 - 直流轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動控制、負(fù)載開關(guān)等功率管理領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，為了確?？煽抗ぷ?，需注意散熱設(shè)計，避免超過最大結(jié)溫。例如，在作為負(fù)載開關(guān)使用時，可與柵極驅(qū)動電路配合，通過控制柵極電壓來實現(xiàn)對負(fù)載電流的快速開關(guān)操作。同時，PCB布局應(yīng)盡量減小寄生電感和電阻，以降低開關(guān)損耗并提高效率。

IRFR48ZTRPBF 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
6,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
42A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
11 毫歐 @ 37A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1720pF @ 25V
功率 - 最大
91W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D-Pak
包裝
帶卷 (TR)

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IRFR48ZTRPBF
IRFR
IRFR010
IRFR010TR SOT252
IRFR010TRL
IRFR010TRPBF
IRFR014
IRLML2502

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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