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IRFP32N50K

更新時間:2025-05-18 00:51:58

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IRFP32N50K 概述

IRFP32N50K是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件設計用于高電壓應用，具有500V的漏源擊穿電壓。其低導通電阻和快速開關特性使其在電源管理和電機驅動等應用中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）、逆變器和直流電機控制。在實際使用時，建議確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以完全開啟MOSFET，通常需要10V以上的柵極-源極電壓。為了提高系統(tǒng)的可靠性，推薦在柵極串聯(lián)一個小電阻來限制開關瞬間的電流尖峰，并在源極和柵極之間并聯(lián)一個齊納二極管作為保護。在進行PCB布局時，應盡量減小寄生電感，以減少開關損耗和電磁干擾。

IRFP32N50K 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFP32N50K
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
32A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
160 毫歐 @ 32A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
190nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
5280pF @ 25V
功率 - 最大
460W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商設備封裝
TO-247-3
包裝
管件
其它名稱
*IRFP32N50K

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