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IRFL4105PBF

更新時間:2025-07-03 11:21:17

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廠商
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

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IRFL4105PBF外觀圖

IRFL4105PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 55V 3.7A SOT223

封裝:TO-261-4，TO-261AA

IRFL4105PBF 概述

IRFL4105PBF是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏極電流可達74A，擊穿電壓為55V，柵極閾值電壓范圍為1V至2.5V，適合驅動低壓側開關電路。典型應用場景包括直流-直流轉換器、電池管理系統(tǒng)以及電機驅動控制等。在實際使用中，建議確保柵極驅動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，并注意散熱設計以保證器件穩(wěn)定工作。對于高頻率應用，需考慮其寄生電容對電路性能的影響。此款MOSFET因其優(yōu)異的電氣性能和可靠性，在工業(yè)及消費電子領域得到廣泛應用。

IRFL4105PBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
80
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
3.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
45 毫歐 @ 3.7A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
35nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
660pF @ 25V
功率 - 最大
1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
供應商設備封裝
SOT-223
包裝
管件
其它名稱
*IRFL4105PBF

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IRFL014NPBF
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IRFL014NTRPBF
IRFL014PBF
IRF9530

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