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IRFIBE20G

更新時間:2025-05-17 17:17:36

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務(wù)
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市華芯源電子有限公司
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海芯未來半導(dǎo)體電子（深圳）有
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權(quán)威機構(gòu)檢測

深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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IRFIBE20G 概述

IRFIBE20G是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的工藝技術(shù)制造，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。其最大漏極電流可達100A，柵源電壓為±20V，可在-55°C至175°C的溫度范圍內(nèi)工作。典型應(yīng)用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅(qū)動、開關(guān)模式電源（SMPS）及電池充電器等。在電路設(shè)計中，推薦使用適當(dāng)?shù)纳岽胧┮源_保穩(wěn)定運行。注意在實際應(yīng)用時要遵循正確的PCB布局原則，盡量減小寄生電感的影響，并且要保證良好的熱管理以提高可靠性。如果需要進一步的技術(shù)細節(jié)，建議查閱官方數(shù)據(jù)手冊。

IRFIBE20G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFIBE20G
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.4A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.5 歐姆 @ 840mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
530pF @ 25V
功率 - 最大
30W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220-3
包裝
管件
其它名稱
*IRFIBE20G

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IRFI1010N
IRFI1310N
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IRFI2807
IRFI3205
IRFI3205G
IRF3205

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