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IRFIB7N50APBF

更新時間:2025-07-03 12:37:05

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IRFIB7N50APBF 概述

IRFIB7N50APBF是由英飛凌科技公司生產(chǎn)的MOSFET（金屬氧化物場效應晶體管）。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其設(shè)計適用于高頻開關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器及電機驅(qū)動等應用場景。在電路中，它能夠高效地控制電流流動并減少能量損耗。使用時需注意柵極電壓的穩(wěn)定性以確?？煽抗ぷ?。對于電源轉(zhuǎn)換電路設(shè)計，建議合理布局走線，減小寄生電感對開關(guān)性能的影響。這款MOSFET憑借其優(yōu)異的電氣性能，在工業(yè)自動化和消費電子領(lǐng)域得到廣泛應用。

IRFIB7N50APBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
520 毫歐 @ 4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
52nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1423pF @ 25V
功率 - 最大
60W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應商設(shè)備封裝
TO-220-3
包裝
管件
其它名稱
*IRFIB7N50APBF

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IRFIB7N50APBF
IRFI1010N
IRFI1310N
IRFI260
IRFI2807
IRFI3205
IRFI3205G
IRF3205

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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