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IRFI9Z14G

更新時間:2025-05-18 00:01:39

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IRFI9Z14G 概述

IRFI9Z14G是由英飛凌公司生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件設(shè)計用于高效能的開關(guān)應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，有助于減少能量損耗并提升系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓（Vds）為-100V，在室溫下連續(xù)漏極電流（Id）可達-13.5A。典型應(yīng)用場景包括電機驅(qū)動、電源管理和不間斷電源（UPS）等工業(yè)領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，建議注意其柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，以確保可靠的開關(guān)操作。對于電機驅(qū)動應(yīng)用，可參考標(biāo)準(zhǔn)H橋或半橋拓撲結(jié)構(gòu)進行電路設(shè)計，并根據(jù)具體需求選擇合適的柵極電阻值來控制開關(guān)速度。此外，應(yīng)確保器件工作在其額定溫度范圍內(nèi)，并采取適當(dāng)?shù)纳岽胧┮跃S持長期穩(wěn)定運行。

IRFI9Z14G 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFI9Z14G
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
5.3A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
500 毫歐 @ 3.2A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
270pF @ 25V
功率 - 最大
27W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 全封裝，隔離接片
供應(yīng)商設(shè)備封裝
TO-220-3
包裝
管件
其它名稱
*IRFI9Z14G

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IRFI3205
IRFI3205G
IRFI3205PBF
IR2113S

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