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IRFH8325TRPBF

更新時間:2025-05-25 06:09:51

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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IRFH8325TRPBF外觀圖

IRFH8325TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN

封裝:8-PowerTDFN

IRFH8325TRPBF 概述

IRFH8325TRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高效率特點，適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。其柵極電荷較低，有助于降低驅(qū)動損耗，提高整體系統(tǒng)效率。典型應(yīng)用場景包括同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載點（POL）穩(wěn)壓器等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。在實際應(yīng)用中，設(shè)計時應(yīng)注意PCB布局以優(yōu)化熱性能，并確保驅(qū)動電路能夠提供足夠的柵極電流以實現(xiàn)快速開關(guān)。對于DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計，建議選擇合適的柵極驅(qū)動電壓，通常為10V左右，以獲得最佳導(dǎo)通電阻和開關(guān)特性。

IRFH8325TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
4,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
21A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
5 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.35V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
32nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2487pF @ 10V
功率 - 最大
3.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerTDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PQFN（5x6）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRFH8325TRPBFTR

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