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IRFH7936TRPBF

更新時間:2025-05-20 06:31:17

供應商
產(chǎn)品型號
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說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市斌騰達科技有限公司
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IRFH7936TRPBF外觀圖

IRFH7936TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 20A PQFN

封裝:8-PowerVQFN

IRFH7936TRPBF 概述

IRFH7936TRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的HEXFET技術，具有低導通電阻和高效率特性，適用于高頻開關應用。其封裝為PQFN 3x3mm，適合緊湊型設計。典型應用場景包括DC-DC轉換器、負載點(POL)調節(jié)器、通信電源系統(tǒng)及工業(yè)自動化設備中的功率管理模塊。由于其卓越的熱性能和電氣特性，在這些應用中能夠顯著提高整體系統(tǒng)效率并減少功率損耗。在實際應用中，建議注意PCB布局以優(yōu)化散熱性能，并確保驅動電路能提供足夠柵極電荷以實現(xiàn)快速開關。設計時需參考數(shù)據(jù)手冊中的最大額定值，避免超過器件的工作極限。對于需要更高電流的應用，可以考慮并聯(lián)多個MOSFET來分散功率損耗。

IRFH7936TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.8 毫歐 @ 20A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.35V @ 50µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
26nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2360pF @ 15V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVQFN
供應商設備封裝
PQFN（5x6）
包裝
帶卷 (TR)

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