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IRFH7923TRPBF

更新時間:2025-06-13 03:23:57

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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深圳市科鑫美電子有限公司
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優(yōu)勢代理渠道,原裝,可全系列訂貨開增值稅票

深圳華盛半導體集團有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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長期供應原裝

深圳誠思涵科技有限公司
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深圳市博洋芯微電子有限公司
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深圳市德江源電子有限公司
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IRFH7923TRPBF外觀圖

IRFH7923TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 15A PQFN56

封裝:8-PowerVDFN

IRFH7923TRPBF 概述

IRFH7923TRPBF是一款由國際整流器公司（現(xiàn)為英飛凌科技的一部分）生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的HEXFET技術(shù)，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適用于高頻開關(guān)應用。其最大漏源電壓（Vds）為40V，連續(xù)漏極電流（Id）可達100A，非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器以及電源管理電路中。在實際應用中，IRFH7923TRPBF常被用作同步整流管或初級開關(guān)管，因其快速的開關(guān)速度和高效率而備受青睞。設計時應注意確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導通電阻，并且要考慮到散熱設計以維持器件在安全工作溫度范圍內(nèi)。對于需要高效能和緊湊尺寸的應用場合，如服務器電源、電動車充電系統(tǒng)等，該MOSFET是一個理想的選擇。此外，在PCB布局上應盡量縮短源極到地之間的路徑，減少寄生電感對性能的影響。

IRFH7923TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.7 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.35V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
13nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1095pF @ 15V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商設備封裝
PQFN（5x6）單芯片焊盤
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
IRFH7923TRPBFDKR

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