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IRFH5210TRPBF

更新時間:2025-05-19 01:08:56

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IRFH5210TRPBF外觀圖

IRFH5210TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 100V 10A 8-PQFN

封裝:8-PowerVQFN

IRFH5210TRPBF 概述

IRFH5210TRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的功率MOS 8技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能，適用于高效直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點調(diào)節(jié)器及同步整流應(yīng)用。典型應(yīng)用場景包括服務(wù)器、通信設(shè)備電源以及各種需要高效能量轉(zhuǎn)換的工業(yè)系統(tǒng)。封裝形式為PQFN 3x3，這種緊湊型封裝有助于節(jié)省電路板空間并提高功率密度。在實際應(yīng)用中，建議確保柵極驅(qū)動電壓足夠以實現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻。此外，由于其高開關(guān)速度，在PCB布局時需特別注意減少寄生電感，避免因電壓尖峰導(dǎo)致器件損壞或性能下降。對于同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計，合理選擇外部元件如電感和輸出電容也非常重要，以優(yōu)化整體效率和穩(wěn)定性。

IRFH5210TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
10A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
14.9 毫歐 @ 33A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
59nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2570pF @ 25V
功率 - 最大
3.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVQFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PQFN（5x6）
包裝
帶卷 (TR)

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