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IRFH3702TRPBF

更新時間:2025-06-22 01:38:13

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IRFH3702TRPBF外觀圖

IRFH3702TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 16A PQFN56

封裝:8-PowerVDFN

IRFH3702TRPBF 概述

IRFH3702TRPBF是國際整流器公司（現(xiàn)屬英飛凌）生產(chǎn)的一款N溝道MOSFET。該器件采用PQFN5x6封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其典型應用包括直流-直流轉換器、負載點調節(jié)以及各種電源管理電路中。由于其出色的熱性能和電氣特性，特別適合需要高效率和緊湊設計的場合。在同步降壓轉換器中，這款MOSFET常被用作低邊或高邊開關。使用時需注意柵極驅動電壓的選擇以確保最佳性能，推薦最小柵極驅動電壓為4.5V，但為了獲得更低的導通電阻，建議使用10V驅動電壓。此外，在PCB布局時應考慮良好的散熱設計以優(yōu)化工作溫度。

IRFH3702TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
16A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.1 毫歐 @ 16A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.35V @ 25µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1510pF @ 15V
功率 - 最大
2.8W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商設備封裝
PQFN（3x3）單芯片焊盤
包裝
帶卷 (TR)

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