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IRFD210

更新時間:2025-06-17 15:14:53

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IRFD210 概述

IRFD210是國際整流器公司（Infineon Technologies）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用。其最大漏源電壓為60V，適合在低壓電源管理和電機驅(qū)動電路中使用。典型應(yīng)用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)、電池充電器以及各種功率控制電路。在實際應(yīng)用中，建議注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計，以確保MOSFET能夠充分開啟和關(guān)閉，減少功耗并提高效率。此外，為了保護(hù)MOSFET免受靜電損害，在處理和焊接過程中應(yīng)采取適當(dāng)?shù)腅SD防護(hù)措施。在設(shè)計PCB布局時，盡量縮短源極和柵極走線長度，以減少寄生電感的影響。

IRFD210 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRFD210
標(biāo)準(zhǔn)包裝
2,500
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
600mA
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
1.5 歐姆 @ 360mA，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
1W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝
4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝
管件
其它名稱
*IRFD210

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廣東微爾科技有限公司

IRFD210推薦型號

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IRFD210
IRFD210HSMRKD
IRFD010
IRFD014
IRFD014PBF
IRFD020
IRFD024
IRF9630

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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