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IRFBE30L

更新時間:2025-05-24 04:41:16

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產品型號
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廠商
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說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市博洋芯微電子有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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90000
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市君云達電子科技有限公司
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深圳市科鑫美電子有限公司
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262AA/22+
原廠渠道，現貨配單

深圳市金燦利電子科技有限公司
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128000
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深圳市芯凌美電子有限公司
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深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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深圳市安桐派科技有限公司
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IRFBE30L 概述

IRFBE30L是由英飛凌科技公司生產的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用了先進的TrenchFET技術，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）為150V，適合在高頻開關電源、直流-直流轉換器以及電機驅動等應用中使用。由于其低柵極電荷和低反向傳輸電容，可以實現高效的能量轉換和減少開關損耗。在設計時應注意柵極驅動電路的設計以確保可靠開啟和關閉MOSFET，并且要考慮適當的散熱措施來保證器件工作在安全溫度范圍內。在實際應用中，通常會與控制IC配合使用以構建完整的電源管理系統(tǒng)。

IRFBE30L 規(guī)格參數

數據列表
IRFBE30S,L
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
4.1A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
3 歐姆 @ 2.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
78nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設備封裝
I2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRFBE30L

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IRFB11N50
IRFB11N50A
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IRFB13N50
IRFB13N50A
IRFB13N50APBF
IRFP150N

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