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IRFBE20STRL

更新時間:2025-07-22 04:52:27

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深圳市創(chuàng)芯聯盈電子有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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只做原裝現貨

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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9000
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

深圳市博洋芯微電子有限公司
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7000
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只做原裝現貨

深圳市科鑫美電子有限公司
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9000
Vishay Siliconix
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/22+
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IRFBE20STRL 規(guī)格參數

數據列表
IRFBE20
標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
800V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
1.8A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.5 歐姆 @ 1.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
38nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
530pF @ 25V
功率 - 最大
54W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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廣東微爾科技有限公司

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