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IRFB9N65APBF

更新時間:2025-07-05 07:19:42

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詢價

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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市華斯頓科技有限公司
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IRFB9N65APBF 概述

IRFB9N65APBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220AB封裝，適用于高電壓應用場合，其最大漏源電壓可達650V，適合用于開關(guān)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅(qū)動等需要高效功率轉(zhuǎn)換的領(lǐng)域。在電路中，它能夠?qū)崿F(xiàn)低導通電阻和快速開關(guān)特性，有助于提高整體系統(tǒng)效率并減少熱量產(chǎn)生。使用時需注意柵極驅(qū)動電路的設(shè)計以確保可靠開啟和關(guān)閉，同時在PCB布局上要充分考慮散熱措施，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于高壓應用，還需采取適當?shù)姆雷o措施防止靜電損害。

IRFB9N65APBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
8.5A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
930 毫歐 @ 5.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
48nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1417pF @ 25V
功率 - 最大
167W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設(shè)備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRFB9N65APBF

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