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IRFB9N60A

更新時間:2025-06-13 02:29:25

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深圳市誠研翔科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市捷立輝科技有限公司
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上海磐岳電子有限公司
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IRFB9N60A 概述

IRFB9N60A是由英飛凌科技公司生產的N溝道MOSFET。該器件專為高壓應用設計，最大漏源電壓可達600V，適用于開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動等場景。其低導通電阻和快速開關特性有助于提高系統效率并減少熱損耗。在電路設計中，建議關注柵極驅動的穩(wěn)定性以確?？煽块_關操作，并根據具體應用需求合理選擇散熱器以控制溫升。此型號常用于工業(yè)級電源轉換設備中，能夠有效提升設備性能及可靠性。在實際使用時應注意防止靜電損壞，避免超過最大額定值工作。

IRFB9N60A 規(guī)格參數

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9.2A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
750 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
49nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 25V
功率 - 最大
170W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRFB9N60A

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