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IRFB61N15D

更新時間:2025-05-23 22:49:37

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IRFB61N15D 概述

IRFB61N15D是一款由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻特性，在柵源電壓為10V時典型值僅為0.037歐姆，這有助于降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓額定值為150V，適用于中高壓應(yīng)用場合。該MOSFET廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域。在開關(guān)電源中可用作同步整流管或初級開關(guān)管，由于其快速的開關(guān)速度和低反向恢復(fù)電荷，可以減少開關(guān)損耗并提升整體性能。使用時需注意散熱設(shè)計以確保工作溫度在安全范圍內(nèi)，并且在電路布局上盡量減小寄生電感以避免電壓尖峰。

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IRFB61N15D
IRFB61N15DPBF
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