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IRFB4610PBF

更新時間:2025-05-20 13:06:21

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詢價

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北京天陽誠業(yè)科貿(mào)有限公司
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現(xiàn)貨常備庫存京北通宇商城可查價格

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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

中研正芯（深圳）電子科技有限
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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誠信20載專注原裝現(xiàn)貨,交易網(wǎng)ISSCP會員

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海芯未來半導體電子（深圳）有
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7300
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

深圳市華斯頓科技有限公司
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一級代理專營品牌原裝，優(yōu)勢現(xiàn)貨，長期排單到貨

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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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深圳市匯萊威科技有限公司
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一站配齊原盒原包現(xiàn)貨朱S Q2355605126

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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IRFB4610PBF外觀圖

IRFB4610PBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 100V 73A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRFB4610PBF 概述

IRFB4610PBF是一款由英飛凌科技公司生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓為100V，在柵極驅(qū)動電壓為10V時，典型導通電阻僅為20mΩ，能夠有效降低導通損耗。此款MOSFET廣泛應用于電源管理、電機控制、不間斷電源（UPS）以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等場合。在實際應用中，建議確保柵極驅(qū)動電路能提供足夠的電壓以保證MOSFET處于最佳工作狀態(tài)，同時注意散熱設計，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于高頻開關應用，合理選擇柵極電阻值可以優(yōu)化開關速度并減少電磁干擾。

IRFB4610PBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
73A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
14 毫歐 @ 44A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
140nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3550pF @ 50V
功率 - 最大
190W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRFB4610PBF

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