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IRFB3507

更新時間:2025-06-13 20:16:03

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廠商
封裝/批號
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詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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深圳市華盛錦科技有限公司
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深圳市安富世紀電子有限公司
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MICROSEMI/美高森美
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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可查官網(wǎng)https//www.icscjh.com/

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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

瀚佳科技（深圳）有限公司
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上海熠富電子科技有限公司
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原廠原裝現(xiàn)貨庫存支持當天發(fā)貨

深圳市誠研翔科技有限公司
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IRFB3507外觀圖

IRFB3507

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 75V 97A TO-220AB

封裝:TO-220-3

IRFB3507 概述

IRFB3507是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點。其最大漏極-源極電壓為75V，適用于需要高效電源管理的應用場景。典型應用場景包括直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動控制、不間斷電源（UPS）系統(tǒng)以及各類開關模式電源中。由于其出色的熱性能和電氣特性，在工業(yè)自動化設備與消費電子產(chǎn)品中也有廣泛應用。在實際應用時需注意，應確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠電壓以保證MOSFET完全開啟。同時要關注散熱設計，避免因過熱導致器件損壞。建議在布局PCB時盡量縮短源極到地的路徑長度，減少寄生電感對開關性能的影響。

IRFB3507 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
75V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
97A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
8.8 毫歐 @ 58A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
130nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3540pF @ 50V
功率 - 最大
190W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRFB3507

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IRFB3507
IRFB3507PBF
IRFB11N50
IRFB11N50A
IRFB11N50APBF
IRFB13N50
IRFB13N50A
IRF9540

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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