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IRFB20N50K

更新時間:2025-05-15 18:56:24

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深圳市誠研翔科技有限公司
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優(yōu)勢產品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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原裝現(xiàn)貨終端免費提供樣品

深圳市特立芯科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，一站式配單服務

深圳市安富世紀電子有限公司
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終端可以免費供樣，支持BOM配單

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只做原裝特價清倉一手貨源代理渠道胡經理

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深圳市譽輝天成電子有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

海芯未來半導體電子（深圳）有
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

深圳市科翼源電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨

柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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中科航電（深圳）電子集團有限
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一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

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國產品牌isc，替代進口

深圳市捷美創(chuàng)芯電子科技有限公
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深圳市港博科電子有限公司
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深圳市岳泰達電子有限公司
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原裝進口現(xiàn)貨，假一賠十，價格優(yōu)勢

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IRFB20N50K 概述

IRFB20N50K是由Infineon Technologies生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，適用于高電壓應用場合。其額定漏源電壓為500V，適合在開關電源、電機驅動以及各種工業(yè)控制設備中使用。在電路設計中，常被用于高壓側開關或同步整流器位置。對于實際應用，需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟和關閉MOSFET，通常推薦10到15V的柵極電壓。散熱設計也至關重要，由于TO-220封裝具有良好的散熱性能，但在大電流應用時仍需搭配適當?shù)纳崞?。此外，在高頻應用中要特別關注寄生電容對電路性能的影響，可通過優(yōu)化PCB布局來減小影響。此元件在合理設計下能顯著提升系統(tǒng)效率并減少能耗。

IRFB20N50K 規(guī)格參數(shù)

制造商
Vishay
產品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
500 V
閘/源擊穿電壓
+/- 30 V
漏極連續(xù)電流
20 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.25 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220AB
封裝
Tube
下降時間
23 ns
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
280 W
上升時間
74 ns
工廠包裝數(shù)量
1000
典型關閉延遲時間
45 ns

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IRFB13N50
IRFB13N50A
IRF3205

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