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IRFB13N50APBF

更新時間:2025-06-28 11:48:59

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特價原裝現(xiàn)貨，一站配齊

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一級供應商十三年品牌專營

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現(xiàn)貨常備庫存京北通宇商城可查價格

深圳市永貝爾半導體有限公司
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原裝現(xiàn)貨，支持BOM配單

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全新原裝現(xiàn)貨，一站式配單服務

深圳市得捷芯城科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

深圳市安富世紀電子有限公司
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105000
VISHAY/威世
TO220AB/23+
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誠信20載專注原裝現(xiàn)貨,交易網ISSCP會員

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海芯未來半導體電子（深圳）有
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7300
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行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

深圳市華斯頓科技有限公司
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原裝正規(guī)渠道優(yōu)勢商全新進口深圳現(xiàn)貨原盒原包

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8000
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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只做原裝現(xiàn)貨

中科航電（深圳）電子集團有限
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TO220/-
一手渠道假一罰十原包裝常備現(xiàn)貨林R Q2280193667

深圳市博洋芯微電子有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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TO220(TO2203)/21+
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IRFB13N50APBF 概述

IRFB13N50APBF是由Infineon Technologies生產的N溝道MOSFET。該器件采用TO-220AB封裝，具有低導通電阻和高擊穿電壓特性，適用于高壓應用場合。其最大漏源電壓可達500V，連續(xù)漏極電流在25℃時為13A。典型應用場景包括開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動以及照明系統(tǒng)中的高壓側開關等需要高效功率管理的領域。由于其具備快速開關特性和低柵極電荷，有助于提高系統(tǒng)效率并減少能量損耗。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個適當阻值的電阻以抑制振蕩，并確保良好的散熱設計來維持穩(wěn)定工作溫度。電路設計時應關注驅動電壓的選擇，推薦使用標準的10V至15V驅動電壓以保證最佳性能。

IRFB13N50APBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
14A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
450 毫歐 @ 8.4A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
81nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1910pF @ 25V
功率 - 最大
250W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
*IRFB13N50APBF

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