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IRF9Z34STRL

更新時間:2025-05-16 15:39:48

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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BOM配單
只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務
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中杰盛科技有限公司
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36000
Vishay
D2PAK/2025+
只做原裝有貨

深圳市科鑫美電子有限公司
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28683
IR
TO263/21+
原裝現貨終端免費提供樣品

深圳市宏捷佳電子科技有限公司
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原裝特價提供樣品

深圳市安富世紀電子有限公司
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105000
IR
TO2632/23+
十年配單，只做原裝

深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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7300
IR
TO263/23+
原裝現貨

海芯未來半導體電子（深圳）有
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7300
IR
TO263/25+
行業(yè)十年，價格超越代理，支持權威機構檢測

深圳市華斯頓科技有限公司
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15500
IR
TO263/25+23+
原裝現貨/優(yōu)勢渠道商、原盤原包原盒

深圳市萬佳電子貿易有限公司
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9400
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TO263/23+
原裝現貨

深圳市科翼源電子有限公司
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2800
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原裝現貨

柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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8913
IR
TO263/23+
柒號芯城，離原廠的距離只有0.07公分

中科航電（深圳）電子集團有限
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68900
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TO263/-
一手渠道假一罰十原包裝常備現貨林R Q2280193667

深圳市博洋芯微電子有限公司
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7000
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只做原裝現貨

深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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6000
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D2PAK/22+
終端可免費供樣,支持BOM配單

深圳市富科達科技有限公司
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24652
I
D2PAK/2025
優(yōu)勢庫存全新原裝現貨熱賣

深圳市華美銳電子有限公司
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52701
IR
TO2632/22+
只做原裝,專注海外現貨訂購20年

深圳市河鋒鑫科技有限公司
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9000
Vishay Siliconix
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
原廠渠道，現貨配單

瀚佳科技（深圳）有限公司
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35200
IR
TO263/21+
一級代理分銷/放心采購

深圳市南科功率半導體有限公司
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686868
NK/南科功率
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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280842
IR
TO263/25+
軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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10000
VISHAY/威世
TO263D2PAK/-
原裝現貨，可開票，提供賬期誠信服務

深圳市粵東誠信電子有限公司
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12000
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TO263/24+
只做原裝，BOM表配單

艾潤（香港）電子有限公司
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24500
原廠品牌
-/-
原裝部分現貨量大期貨

深圳市萬芯時代貿易有限公司
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1
回收IC
N/A/25+
回收此型號IRF9Z34STRL

深圳市科鑫美電子有限公司
IRF9Z34STRL
9000
Vishay Siliconix
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/22+
原廠渠道，現貨配單

深圳市金燦利電子科技有限公司
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128000
IR
TO263/23+
全新原裝現貨/優(yōu)勢渠道/提供一站式配單

深圳螢美電子科技有限公司
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6000
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D2PAK/23+
原裝現貨只做原廠原裝優(yōu)勢庫存自家?guī)齑?/p>

深圳市芯創(chuàng)恒微電子有限公司
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3000
VISHAY
D2PAK/20+
原裝現貨，優(yōu)勢渠道

深圳市安桐派科技有限公司
IRF9Z34STRL
16500
IR
-/2022+
2022+

深圳市盈熙微科技有限公司
IRF9Z34STRL
6000
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TO2632/22+
原裝，提供BOM配單服務

深圳市思佳捷科技有限公司
IRF9Z34STRL-BYHX
17600
SIX
N/A/25+
誠信20載。交易網ISSCP會員

深圳市能元時代電子有限公司
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4500
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-/12
公司原裝現貨

深圳市宏創(chuàng)興泰電子有限公司
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有上有貨原裝現貨可看貨，提供配單服務

深圳市賽美科科技有限公司
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一級代理，原裝假一罰十價格優(yōu)勢長期供貨

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可查官網https//www.icscjh.com/

現代芯城（深圳）科技有限公司
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IRF9Z34STRL 概述

IRF9Z34STRL是由英飛凌科技公司生產的P溝道功率MOSFET。該器件采用表面貼裝封裝，具備低導通電阻和快速開關特性，適用于高效功率管理應用。其最大漏極-源極電壓為60V，能夠承受高達27A的連續(xù)漏極電流。典型應用場景包括電機驅動、負載切換以及電源管理電路中。在實際應用中，此MOSFET常用于DC-DC轉換器和電池管理系統(tǒng)。設計時需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟或關閉MOSFET，減少功耗并提高效率。例如，在低壓側開關配置中，可通過一個NPN晶體管來增強對IRF9Z34STRL柵極的控制能力，從而實現更快速的開關操作。此外，建議添加適當的散熱措施以維持穩(wěn)定工作溫度，特別是在高功率條件下。

IRF9Z34STRL 規(guī)格參數

數據列表
IRF9Z34S/L
標準包裝
800
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
18A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
140 毫歐 @ 11A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
34nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1100pF @ 25V
功率 - 最大
3.7W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)

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