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IRF7834TRPBF

更新時間:2025-05-16 08:08:40

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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只做原裝，BOM表配單

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深圳市誠研翔科技有限公司
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6000
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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深圳市騰迅輝電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市格爾微電子有限公司
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原廠直銷，價格優(yōu)勢，一站式配套服務,可開增值稅發(fā)

深圳市科鑫美電子有限公司
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深圳市金燦利電子科技有限公司
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Infineon
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深圳市富科達科技有限公司
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IOR
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北京羅徹斯特電子科技有限公司
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貿澤芯城（深圳）電子科技有限
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杭州丹駿電子科技有限公司
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深圳市馳源科技有限公司
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INFINEON/英飛凌
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一站式配單，只做原裝

深圳市新美電子有限公司
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深圳螢美電子科技有限公司
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原裝現貨只做原廠原裝優(yōu)勢庫存自家?guī)齑?/p>

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IRF7834TRPBF外觀圖

IRF7834TRPBF

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF7834TRPBF 概述

IRF7834TRPBF是由Infineon Technologies生產的N溝道MOSFET。該器件采用先進的PowerTrench工藝制造，具有極低的導通電阻和柵極電荷，有助于降低開關損耗并提高效率。其最大漏源電壓（VDS）為30V，適用于高頻開關應用。典型應用場景包括DC-DC轉換器、負載點調節(jié)器以及電池供電設備中的電源管理。在筆記本電腦、平板電腦等便攜式設備中表現尤為出色。由于其快速的開關速度和低柵極電荷特性，特別適合用于同步整流電路。使用時應注意確保柵極驅動電壓足夠高以實現最佳性能，并且要合理設計PCB布局以減小寄生電感對開關性能的影響。建議在柵極串聯一個小型電阻來抑制振鈴現象，同時添加適當的散熱措施以保證器件工作溫度在安全范圍內。

IRF7834TRPBF 規(guī)格參數

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
19A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
4.5 毫歐 @ 19A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.25V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
44nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3710pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF7834PBFTRIRF7834TRPBF-NDIRF7834TRPBFTR-ND

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IRF701
IRF7010
IRF710
IRF7101
IRF7101PBF
IRF7101TR
IR2103S

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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