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IRF7821TR

更新時間:2025-07-05 01:16:59

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產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
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詢價

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深圳市華斯頓科技有限公司
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深圳市譽輝天成電子有限公司
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深圳市華美銳科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

杭州丹駿電子科技有限公司
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IRF7821TR外觀圖

IRF7821TR

International Rectifier FET - 單

MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC

封裝:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

IRF7821TR 概述

IRF7821TR是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的功率芯片技術(shù)，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負載點調(diào)節(jié)器和其他電源管理應用。它在小尺寸封裝中實現(xiàn)了卓越的性能，典型應用包括電信設備、網(wǎng)絡通信以及工業(yè)控制系統(tǒng)的電源設計。其工作電壓范圍為4.5V到13.2V，適合需要高速切換和緊湊布局的場合。使用時需注意柵極驅(qū)動電路的設計以確?？煽块_啟和關(guān)閉，避免過沖電壓損壞柵極氧化層。推薦在PCB設計中優(yōu)化熱路徑，提高散熱效率，確保長期穩(wěn)定運行。

IRF7821TR 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
4,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
13.6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
9.1 毫歐 @ 13A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1010pF @ 15V
功率 - 最大
2.5W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商設備封裝
8-SO
包裝
帶卷 (TR)

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IRF7821TR
IRF7821TRPBF
IRF7821TRPBF.
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IRF710
IRF7101
IRLML6402

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