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IRF7811

更新時間:2025-05-19 09:14:36

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IRF7811 概述

IRF7811是由International Rectifier（已被Infineon收購）生產(chǎn)的一款N溝道增強型MOSFET。該器件采用先進的HEXFET工藝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效直流-直流轉換器、同步整流電路以及電機驅(qū)動應用中。其最大漏源電壓（Vds）為30V，連續(xù)漏極電流（Id）可達20A，在柵極電壓（Vgs）為4.5V時導通電阻低至16mΩ。在實際應用中，IRF7811常被用于需要高效率和緊湊設計的場合。例如，在筆記本電腦適配器電源管理電路中，它能有效降低功耗并減少發(fā)熱量。使用時需注意散熱設計，確保工作溫度不超過額定值以保證長期可靠性。由于其封裝形式為SO-8，適合空間受限的設計需求。建議在PCB布局時盡量縮短源極與柵極之間的走線長度，減少寄生電感影響開關性能。

IRF7811 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨
系列
HEXFET?
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
停產(chǎn)
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
28 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
14A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
11 毫歐 @ 15A，4.5V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
23 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
±12V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1800 pF @ 16 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.5W（Ta）
工作溫度
-
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
8-SO
封裝/外殼
8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

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IRF7811
IRF7811A
IRF7811ATR
IRF7811ATRPBF
IRF7811AUTRPBF
IRF7811AV
IRF7811AVTPBF
IRLML6402

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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