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IRF614S

更新時間:2025-05-21 02:00:52

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廠商
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IRF614S 概述

IRF614S是由International Rectifier（已被Infineon收購）生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用TO-251封裝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏極電流可達5.3A，最大漏源電壓為60V，在多種應用中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括電源管理、直流電機驅動、繼電器替代以及各種消費電子設備中的開關電路。由于其良好的熱穩(wěn)定性和較高的效率，它也適用于電池供電的手持設備和便攜式電子產(chǎn)品。在設計時應注意選擇合適的柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱措施得當，防止過熱導致性能下降或損壞。對于低壓高頻應用，需特別關注PCB布局，減少寄生電感影響。

IRF614S 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
IRF614SPBF
標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
250V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2 歐姆 @ 1.6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
8.2nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
140pF @ 25V
功率 - 最大
3.1W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
管件
其它名稱
*IRF614S

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