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IRF5852TRPBF

更新時間:2025-06-18 17:36:22

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市福啟達科技有限公司
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中科航電（深圳）電子集團有限
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華芯達電子有限公司
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深圳市華普冠科電子科技有限公
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藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市南科功率半導體有限公司
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NK/南科功率
SOT236/2025+
南科國產(chǎn)替代

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IRF5852TRPBF外觀圖

IRF5852TRPBF

International Rectifier FET - 陣列

MOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP

封裝:6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）

IRF5852TRPBF 概述

IRF5852TRPBF是由Infineon Technologies生產(chǎn)的N溝道MOSFET。該器件采用先進的PowerTrench工藝制造，具有極低的導通電阻和柵極電荷，適合高頻開關(guān)應用。其最大漏源電壓為30V，連續(xù)漏極電流能力達到60A，在電源管理電路中表現(xiàn)出色。典型應用場景包括同步整流、直流-直流轉(zhuǎn)換器以及電機驅(qū)動等需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。由于其快速開關(guān)特性和低損耗，特別適用于便攜式設備如筆記本電腦和平板電腦的電源適配器設計。在使用時應注意適當?shù)纳岽胧┮源_保長期穩(wěn)定工作，并遵循推薦的PCB布局規(guī)則來優(yōu)化電氣性能。

IRF5852TRPBF 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
3,000
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 陣列
系列
HEXFET®
FET 型
2 個 N 溝道（雙）
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
2.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
90 毫歐 @ 2.7A，4.5V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1.25V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
6nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
400pF @ 15V
功率 - 最大
960mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
6-TSOP（0.059"，1.50mm 寬）
供應商設備封裝
Micro6?（TSOP-6）
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
IRF5852TRPBF-NDIRF5852TRPBFTR

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IRF5852TRPBF
IRF50N06
IRF510
IRF510A
IRF510PBF
IRF510S
IRF510SPBF
IR2104S

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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